參數(shù)資料
型號(hào): CSD1506N
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 50V五(巴西)總裁| 3A條一(c)|至126
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代理商: CSD1506N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CSD1506P TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
CSD1506Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
CSD1506R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
CSD1563 TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
CSD1563A TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CSD1515 制造商:C&K Components 功能描述:
CSD15380F3 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1190 毫歐 @ 100mA, 8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.281nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1