參數(shù)資料
型號： CQ223-2N
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 晶閘管
英文描述： 2.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
中文描述： 800 V, 2 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 73K
代理商： CQ223-2N
CQ223-2M
CQ223-2N
2.0 AMP TRIAC
600 THRU 800 VOLTS
SOT-223 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 (11-May 2004)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ223-2M
series type is an Epoxy Molded Silicon Triac
designed for full wave AC control applications
featuring gate triggering in all four (4) quadrants.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
CQ223
-2M
CQ223
-2N
UNITS
Peak Repetitive Off-State Voltage
VDRM
IT(RMS)
ITSM
I
2
t
600
800
V
RMS On-State Current (TC=80°C)
Peak One Cycle Surge (t=10ms)
I
2
t Value for Fusing (t=10ms)
2.0
A
20
A
2.0
A
2
s
Peak Gate Power (tp=10μs)
PGM
PG(AV)
IGM
Tstg
TJ
Θ
JA
3.0
W
Average Gate Power Dissipation
0.2
W
Peak Gate Current (tp=10μs)
1.2
A
Storage Temperature
-40 to +150
°C
Junction Temperature
-40 to +125
°C
Thermal Resistance
62.5
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Rated VDRM, RGK=1K
Rated VDRM, RGK=1K
,
TC=125°C
VD=12V, QUAD I, II, III
VD=12V, QUAD IV
RGK=1K
VD=12V, QUAD I, II, III, IV
ITM=2.0A, tp=380μs
ITM=3.0A, tp=380μs
VD=
2
/
3
VDRM,TC=125°C
MIN
TYP
MAX
UNITS
IDRM
IDRM
IGT
IGT
IH
VGT
VTM
VTM
dv/dt
5.0
μA
200
μA
1.35
5.00
mA
3.75
8.00
mA
1.2
5.0
mA
1.1
1.8
V
1.50
1.75
V
1.7
2.0
V
2.5
V/μs
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PDF描述
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參數(shù)描述
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