型號(hào): | CPH5518 |
廠商: | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
英文描述: | PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications |
中文描述: | 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管的大電流開關(guān)應(yīng)用 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
文件大小: | 66K |
代理商: | CPH5518 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CPH5522 | PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications |
CPH5601 | P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET) |
CPH5602 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CPH5518-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CPH5518-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
CPH5519-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPNPNP SOT346 |
CPH5520 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications |
CPH5520-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |