參數(shù)資料
型號： CPH3148
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管高壓開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 45K
代理商： CPH3148
CPH3148
No. A0436-2/4
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typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1A, IB=--100mA
IC=--1A, IB=--100mA
IC=--10
μ
A, IE=0A
IC=--100
μ
A, RBE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--10
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--120
--0.85
--240
--1.2
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
--100
--100
--100
--7
40
600
30
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-003
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
2.9
0.05
0.4
2
1
0
0
0
0
0
0.15
2
1
3
0.95
VR
RB
VCC= --50V
VBE=5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
220
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC= --10IB1=10IB2= --0.5A
IC -- VBE
IC -- VCE
C
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
0
--0.4
--1.2
--2.0
--1.6
--0.8
--0.2
--0.6
--1.4
--1.8
--1.0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT11134
0
0
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.4
--0.5
IT11133
--0.4
--0.1
--0.3
IB=0mA
--20mA
--
60mA
--
40mA
--
5mA
VCE= --5V
T
°
C
2
°
C
-
°
C
--
80mA
--
100mA
--
120mA
--
140mA
--
160mA
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