參數(shù)資料
型號： CPC3730CTR
廠商： CLARE INC
元件分類： JFETs
中文描述： 0.14 A, 350 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： CPC3730CTR
PRELIMINARY
PRELIMINARY
DS-CPC3730-R00C
1
CPC3730
N-Channel Depletion-Mode FET
RoHS
2002/95/EC
e3
Pb
Part #
Description
CPC3730CTR
SOT-89 (1000/Reel)
BV
DSX/
BV
DGX
R
DS(ON)
(max)
I
DSS (min)
Package
350V
P
30
140mA
SOT-89
Applications
Features
Description
Ordering Information
Package Pinout
Ignition Modules
Normally-On Switches
Solid State Relays
Converters
Telecommunications
Power Supply
Low R
DS(ON) at Cold Temperatures
R
DS(on) 30 max. at 25C
High Input Impedance
High Breakdown Voltage: 350V
P
Low V
GS(off) Voltage: -1.6 to -3.9V
Small Package Size: SOT-89
The CPC3730 is an N-channel, depletion mode, field
effect transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary
third-generation vertical DMOS process. The
third-generation process realizes world class, high
voltage MOSFET performance in an economical
silicon gate process. Our vertical DMOS process
yields a robust device, with high input impedance,
for use in high power applications. The CPC3730
is a highly reliable FET device that has been used
extensively in Clare’s solid state relays for industrial
and telecommunications applications.
This device excels in power applications requiring
low drain-source resistance, particularly in cold
environments such as automotive ignition modules.
The CPC3730 offers a low, 30
maximum, on-state
resistance at 25C.
The CPC3730 has a minimum breakdown voltage
of 350V
P , and is available in an SOT-89 package.
As with all MOS devices, the FET structure prevents
thermal runaway and thermal-induced secondary
breakdown.
(SOT-89)
G
D
S
D
Circuit Symbol
D
S
G
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PDF描述
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CPC3902CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-243AA 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 300mA， 0V 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 封裝/外殼:TO-243AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
CPC3902ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式 功率耗散（最大值）:1.8W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 300mA， 0V 工作溫度:-55°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CPC3909CTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CPC3909ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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