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參數(shù)資料
| 型號： | CP108 |
| 廠商： | Central Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | Schottky Rectifier, Schottky Barrier Rectifier Chip - 2.0 Amp |
| 中文描述： | 肖特基整流器，肖特基整流器芯片- 2.0安培 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 214K |
| 代理商： | CP108 |
PRINCIPAL DEVICE TYPES
1N5817
1N5818
1N5819
CXSH-4
CZSH-4
Process
EPITAXIAL PLANAR
Die Size
52 X 52 MILS
Die Thickness
9 MILS
Anode Bonding Pad Area
47 X 47 MILS
Top Side Metalization
Al - 20,000
Back Side Metalization
Au - 10,000
PROCESS DETAILS
R8 (9 -September 2003)
GEOMETRY
BACKSIDE CATHODE
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel:
(631) 435-1110
Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER
5,110
Central
Semiconductor Corp.
TM
PROCESS
Schottky Rectifier
Schottky Barrier Rectifier Chip - 2.0 Amp
CP108
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