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參數(shù)資料
| 型號： | CNY17G-F3-009 |
| 英文描述： | Optoelectronic |
| 中文描述： | 光電 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | CNY17G-F3-009 |
5–4
Figure 15. Saturation voltage versus
collector current and modulation
depth CNY17-3
V
CEsat
=f (I
C
) (T
A
=25
°
C)
Figure 16. Saturation voltage versus
collector current and modulation
depth CNY17-4
V
CEsat
=f (I
C
) (T
A
=25
°
C)
Figure 17. Permissible pulse load
D=parameter, T
A
=25
°
C, I
F
=f (t
p
)
Figure 18. Permissible power dissi-
pation transistor and diode
P
tot
=f (T
A
)
Figure 19. Permissible forward cur-
rent
P
tot
=f (T
A
)
Figure 20. Transistor capacitance
C=f(V
O
) (T
A
=25
°
C, f=1 MHz)
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PDF描述 |
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