參數(shù)資料
型號(hào)： CNY17F3-004
英文描述： Optoelectronic
中文描述： 光電
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 146K
代理商： CNY17F3-004
5–4
Figure 15. Saturation voltage versus
collector current and modulation
depth CNY17-3
V
CEsat
=f (I
C
) (T
A
=25
°
C)
Figure 16. Saturation voltage versus
collector current and modulation
depth CNY17-4
V
CEsat
=f (I
C
) (T
A
=25
°
C)
Figure 17. Permissible pulse load
D=parameter, T
A
=25
°
C, I
F
=f (t
p
)
Figure 18. Permissible power dissi-
pation transistor and diode
P
tot
=f (T
A
)
Figure 19. Permissible forward cur-
rent
P
tot
=f (T
A
)
Figure 20. Transistor capacitance
C=f(V
O
) (T
A
=25
°
C, f=1 MHz)
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PDF描述
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