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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CNA1303K(ON1003) |
| 英文描述： | 光デバイス － フォトカプラ?フォトセンサ － 透過形フォトセンサ |
| 中文描述： | 光デバイス-フォトカプラ？フォトセンサ-透過形フォトセンサ |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | CNA1303K(ON1003) |
1
Transmissive Photosensors (Photo Interrupters)
CNA1302K
(ON1004)
Photo Interrupter
2
4
1
3
5.0
2.0
4.2
Slit width
(0.3)
1.5
(
1.5
(C0.3)
(C0.5)
A
A'
*3.8
*2.54
2-0.25
1
3
2
4
2-0.5
2
2
5
3
4
Device
center
Gat0.3 max.
Pin connection
N
1
(
1.5
+0.1
–0
SEC. A-A'
Unit : mm
(Note)
1. Tolerance unless otherwise specified is
±
0.2
2. ( ) Dimension is reference
3. * is dimension at the root of leads
4. Burrs should be less than 0.15mm
more than 1mm
Soldering bath
(Input pulse)
(Output pulse)
50
R
L
t
d
: Delay time
t
r
: Rise time (Time required for the collector current to increase
from 10% to 90% of its final value)
t
f
: Fall time (Time required for the collector current to decrease
from 90% to 10% of its initial value)
V
CC
Sig.OUT
10%
90%
Sig.IN
t
d
t
r
t
f
For contactless SW, object detection
Overview
CNA1302K is an ultraminiature, highly reliable transmissive
photosensor in which a high efficiency GaAs infrared light emitting
diode chip and a high sensitivity Si phototransistor chip are integrated
in a double molded resin package.
Electrical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Forward voltage (DC)
characteristics
Reverse current (DC)
Symbol
V
F
I
R
I
CEO
I
C
Conditions
min
typ
1.2
max
1.4
10
100
400
0.4
Unit
V
μ
A
nA
μ
A
V
μ
s
Input
I
F
= 20mA
V
R
= 3V
V
CE
= 20V
V
CE
= 5V, I
F
= 5mA
Output characteristics
Collector cutoff current
Collector current
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
F
= 10mA, I
C
= 40
μ
A
Response time
Transfer
characteristics
40
t
r
, t
f*
V
CC
= 5V, I
C
= 0.1mA, R
L
= 1000
35
*
Switching time measurement circuit
Features
Ultraminiature : 4.2
×
5.0 mm (height : 5.2 mm)
Fast response : t
r
, t
f
= 35
μ
s (typ.)
Highly precise position detection : 0.15 mm
Gap width : 2.0 mm
*1
Input power derating ratio is
1.0mW/C at Ta
≥
25C.
*2
Output power derating ratio is
1.0mW/C at Ta
≥
25C.
*3
Soldering time is within 5 seconds.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Power dissipation
Collector current
Symbol
Ratings
V
R
I
F
P
D*1
I
C
V
CEO
V
ECO
P
C*2
T
opr
–25 to +85
T
stg
– 40 to +100
T
sol*3
Unit
V
mA
mW
mA
V
V
mW
C
C
C
Input (Light
emitting diode)
6
50
75
20
35
6
75
Output (Photo
Collector to emitter voltage
transistor)
Emitter to collector voltage
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Temperature
Storage temperature
Soldering temperature
260
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| CNA1311K | 功能描述:PHOTO INTERRUPTER 1MM SLOT PCB RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"（1.6mm） 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| CNA1311K0TLC | 功能描述:INTERRUPTER PHOTO 1MM SLOT PCB RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"（1.6mm） 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| CNA1312K | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Transmissive Photosensors(Photo Interrupters) |
| CNA1312K0TLC | 功能描述:INTERRUPTER PHOTO 2MM SLOT PCB RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"（1.6mm） 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| CNA1801N | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SENSOR |
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