參數(shù)資料
型號(hào)： CNA1014H
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 開(kāi)關(guān)
英文描述： Photo Interrupter
中文描述： 3 mm SLOT WIDTH, 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
封裝： PISTR104-025, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： CNA1014H
Transmissive Photosensors (Photo lnterrupters)
CNA1014H
(ON1387)
Photo Interrupter
1
Publication date: August 2001
SHG00059BED
For contactless SW, object detection
■
Overview
CNA1014H is a transmittive photosensor series in which a high
efficiency GaAs infrared light emitting diode is used as the light
emitting element, and a high sensitivity phototransistor is used as
the light detecting element. The two elements are arranged so as to
face each other, and objects passing between them are detected.
■
Features
Highly precise position detection: 0.3 mm
With attachment positioning boss
Fast response: t
r
, t
f
=
5
μ
s (typ.)
■
Adsolute Maximum Ratings T
a
=
25
°
C
(Input pulse)
(Output pulse)
50
R
L
t
r
: Rise time
t
f
: Fall time
V
CC
Sig. out
10%
90%
Sig. in
t
r
t
f
Unit: mm
1: Anode
2: Cathode
3: Collector
4: Emitter
PISTR104-025 Package
A
A'
2
3
1
4
SEC. A-A'
12.0
(C1)
3.0
±0.1
(7.6)
(2.54)
4-0.45
±0.15
4-0.45
±0.15
1
2
±
(
6
6
±
Device
Center
5.0
0.5
±0.1
1.23
(
0
±
4
±
30
°
φ
1.5
±0.05
(φ
2)
(Note) 1. Tolerance unless otherwise specified is
±
0.3
2. ( ) Dimension is reference
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Input (Light
Reverse voltage
V
R
I
F
P
D
V
CEO
3
V
emitting diode) Forward current
Power dissipation
*1
Output (Photo Collector-emitter voltage
transistor)
(Base open)
50
mA
75
30
mW
V
Emitter-collector voltage
(Base open)
V
ECO
5
V
Collector current
Collector power dissipation
*2
I
C
P
C
T
opr
T
stg
20
mA
100
mW
°
C
°
C
Temperature
Operating ambient temperature
25 to
+
85
40 to
+
100
Storage temperature
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Input
Forward voltage
V
F
I
R
I
CEO
I
F
=
20 mA
V
R
=
3 V
V
CE
=
10 V
1.25
1.40
V
μ
A
nA
characteristics
Reverse current
Collector-emitter cutoff current
characteristics
(Base open)
Transfer
Collector current
10
200
Output
10
I
C
V
CE
=
5 V, I
F
=
20 mA
I
F
=
40 mA, I
C
=
1 mA
V
CC
=
5 V, I
C
=
1 mA
R
L
=
100
1.5
12.0
mA
characteristics
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
Rise time
*
Fall time
*
0.4
V
μ
s
μ
s
t
r
t
f
5
5
■
Electrical-Optical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Input and output are practiced by electricity.
2. This device is designed be disregarded radiation.
3.*: Switching time measurement circuit
Note)*1: Input power derating ratio is 1.0 mW/
°
C at T
a
≥
25
°
C.
*2: Output power derating ratio is 1.33 mW/
°
C at T
a
≥
25
°
C.
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
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