參數(shù)資料
型號(hào)： CMUT5087E
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRAMINI-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 349K
代理商： CMUT5087E
CMUT5087E PNP
CMUT5088E NPN
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5087E and
CMUT5088E are Silicon transistors in an ULTRAmini
surface mount package with enhanced specifications
designed for applications requiring high gain and low
noise.
MARKING CODES: CMUT5087E: U87
CMUT5088E: U88
Enhanced specification
Additional Enhanced specification
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
50
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
V
Continuous Collector Current
IC
100
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
TYP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
NPN PNP
MAX
UNITS
ICBO
VCB=20V
50
nA
IEBO
VEB=3.0V
50
nA
BVCBO
IC=100A
50
135
150
V
BVCEO
IC=1.0mA
50
65
105
V
BVEBO
IE=100A
5.0
8.7
7.5
V
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
45
50
100
mV
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
110
225
400
mV
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
700
800
mV
hFE
VCE=5.0V, IC=0.1mA
300
430
390
900
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0mA
300
435
380
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA
300
430
350
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA
50
125
75
fT
VCE=5.0V, IC=500A, f=20MHz
100
MHz
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
4.0
pF
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
15
pF
hfe
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
350
1400
NF
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ f=10Hz to 15.7kHz
3.0
dB
SOT-523 CASE
R2 (9-February 2010)
www.centra lsemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMZ5927BBK
CN645
CNW135
CNW4502
CNW136
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參數(shù)描述
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