參數(shù)資料
型號(hào)： CMS06
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type
中文描述： 東芝肖特基整流器肖特基型
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： CMS06
CMS06
2003-02-17
1
TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type
CMS06
Switching Mode Power Supply Applications
Portable Equipment Battery Applications
Forward voltage: V
FM
= 0.37 V (max)
Average forward current: I
F (AV)
= 2.0 A
Repetitive peak reverse voltage: V
RRM
= 30 V
Suitable for compact assembly due to small surface-mount package
“M
FLAT
TM
” (Toshiba package name)
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
30
V
Average forward current
I
F (AV)
2.0
(Note)
A
Peak one cycle surge forward current
(non-repetitive)
I
FSM
40 (50 Hz)
A
Junction temperature
T
j
40~125
°C
Storage temperature
T
stg
40~150
°C
Note: T
82.8°C: Rectangular waveform ( 180°C), V
R
15 V
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
V
FM (1)
I
FM
0.5 A
0.26
V
FM (2)
I
FM
1.0 A
0.28
Peak forward voltage
V
FM (3)
I
FM
2.0 A
0.32
0.37
V
I
RRM
V
RRM
5 V
0.09
Repetitive peak reverse current
I
RRM
V
RRM
30 V
1.4
3.0
mA
Junction capacitance
C
j
V
R
10 V, f 1.0 MHz
130
pF
Device mounted on a ceramic board
(soldering land: 2 mm 2 mm)
60
Thermal resistance
R
th (j-a)
Device mounted on a glass-epoxy
board
(soldering land: 6 mm 6 mm)
135
°C/W
Thermal resistance
R
th (j-
)
16
°C/W
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
3-4E1A
Weight: 0.023 g (typ.)
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PDF描述
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CMS10_06 Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 13.8 to 14.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
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