參數(shù)資料
型號： CMPTA63
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： complementary silicon darlington transistors
中文描述： 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 321K
代理商： CMPTA63
CMPTA13
CMPTA14 NPN
CMPTA63
CMPTA64 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY SILICON
DARLINGTON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA13 and
CMPTA63 series are complementary silicon darlington
transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount package,
designed for applications requiring extremely high gain.
MARKING CODES: CMPTA13: C1M
CMPTA14: C1N
CMPTA63: C2U
CMPTA64: C2V
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Continuous Collector Current
IC
500
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICBO
VCB=30V
100
nA
IEBO
VBE=10V
100
nA
BVCES
IC=100A
30
V
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=0.1mA
1.5
V
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=100mA
2.0
V
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA (CMPTA13, CMPTA63)
5,000
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA (CMPTA14, CMPTA64)
10,000
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA (CMPTA13, CMPTA63)
10,000
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA (CMPTA14, CMPTA64)
20,000
fT
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
125
MHz
SOT-23 CASE
R5 (1-February 2010)
www.centra lsemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMPTA64 complementary silicon darlington transistors
CMPZ5236C 7.5 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
CMPZ5248D 18 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
CMPZDC20VBK 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
CMPZDC9V1 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMPTA64 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
CMPTA64 TR 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達(dá)林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CMPTA77 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
CMPTA77_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
CMPTA92 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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