參數資料
型號： CMPT591
廠商： Central Semiconductor Corp.
元件分類： 繼電器，輸入/輸出模塊
英文描述： 30 AMP MINIATURE POWER RELAY
中文描述： 表面貼裝進步黨硅晶體管
文件頁數： 1/2頁
文件大小： 100K
代理商： CMPT591
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT591E
type is a PNP silicon transistor manufactured by
the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high
current, general purpose amplifier applications.
Marking Code is C59.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
ICM
PD
UNITS
V
V
V
A
mA
A
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Current (Peak)
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
80
60
5.0
1.0
200
2.0
350
TJ,Tstg
Θ
JA
-65 to +150
357
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
TEST CONDITIONS
VCB=60V
VEB=4.0V
IC=100μA
IC=10mA
IE=100μA
IC=500mA, IB=50mA
IC=1.0A, IB=100mA
IC=1.0A, IB=100mA
VCE=5.0V, IC=1.0A
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=500mA
VCE=5.0V, IC=1.0A
VCE=5.0V, IC=2.0A
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
MIN
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
80
60
5.0
0.20
0.40
1.1
1.0
200
200
50
15
150
600
MHz
pF
10
CMPT591E
SURFACE MOUNT
PNP SILICON TRANSISTOR
SOT-23 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R2 ( 30-August 2001)
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PDF描述
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參數描述
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