參數(shù)資料
型號(hào)： CMLT5087E
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PICOMINI-6
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 519K
代理商： CMLT5087E
CMLT5078E NPN/PNP
CMLT5087E PNP/PNP
CMLT5088E NPN/NPN
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
SILICON DUAL TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5078E,
CMLT5087E, and CMLT5088E, are Silicon transistors
in a PICOmini surface mount package with enhanced
specifications designed for applications requiring high
gain and low noise.
MAXIMUM RATINGS: (TA=25oC)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
50
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
V
Continuous Collector Current
IC
100
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
o
C
Thermal Resistance
ΘJA
357
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (TA=25oC unless otherwise noted)
TYP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
NPN
PNP
MAX
UNITS
ICBO
VCB=20V
50
nA
IEBO
VEB=3.0V
50
nA
BVCBO
IC=100A
50
135
150
V
BVCEO
IC=1.0mA
50
65
105
V
BVEBO
IE=100A
5.0
8.7
7.5
V
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
45
50
100
mV
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
110
225
400
mV
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
700
800
mV
hFE
VCE=5.0V, IC=0.1mA
300
430
390
900
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0mA
300
435
380
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA
300
430
350
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA
50
125
75
fT
VCE=5.0V, IC=500A, f=20MHz
100
MHz
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
4.0
pF
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
15
pF
hfe
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
350
1400
NF
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ,
f=10Hz to 15.7kHz
3.0
dB
MARKING CODE & CONFIGURATION:
CMLT5078E: DUAL, COMPLEMENTARY: L78
CMLT5087E: DUAL, PNP: L87
CMLT5088E: DUAL, NPN: L88
Enhanced specification.
Additional Enhanced specification.
SOT-563 CASE
R3 (20-January 2010)
www.centra lsemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMLT5088E
CMLT7820G
CMNT3906E
CMNT3904E
CMPT2222AE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMLT5087E TR 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CMLT5087EM 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT DUAL, MATCHED PNP SILICON TRANSISTORS
CMLT5087EM TR 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
CMLT5088E 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual - NPN/NPN Enhanced RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMLT5088E TR 功能描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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