| 型號(hào)： |
CMF20120D |
| 廠商： |
Cree Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： |
1200V SiC Mosfet Overview
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| 視頻文件： |
Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
30 |
| 系列： |
Z-FET™ |
| FET 型： |
SiCFET N 通道，碳化硅
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
1200V（1.2kV）
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
33A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
110 毫歐 @ 20A，20V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
90.8nC @ 20V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1915pF @ 800V
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| 功率 - 最大： |
150W
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| 安裝類型： |
通孔
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| 封裝/外殼： |
TO-247-3
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-247-3
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| 包裝： |
管件
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