參數(shù)資料
型號(hào)： CM75DU-12H
廠商： POWEREX INC
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Dual IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： CM75DU-12H
Sep.1998
Dimensions
Inches
Millimeters
A
3.7
94.0
B
3.15
±
0.01
1.89
80.0
±
0.25
48.0
C
D
0.94
24.0
E
0.28
7.0
F
0.67
17.0
G
0.91
23.0
H
0.91
23.0
J
0.43
11.0
K
0.71
18.0
L
0.16
4.0
Dimensions
Inches
Millimeters
M
0.47
12.0
N
0.53
13.5
O
0.1
2.5
P
0.63
16.0
Q
0.98
25.0
R
1.18 +0.04/-0.02 30.0 +1.0/-0.5
S
0.3
7.5
T
0.83
21.2
U
0.16
4.0
V
0.51
13.0
Description:
Mitsubishi IGBT Modules are de-
signed for use in switching applica-
tions. Each module consists of two
IGBTs in a half-bridge configuration
with each transistor having a re-
verse-connected super-fast recov-
ery free-wheel diode. All compo-
nents and interconnects are iso-
lated from the heat sinking base-
plate, offering simplified system
assembly and thermal manage-
ment.
Features:
u
Low Drive Power
u
Low V
CE(sat)
u
Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
u
High Frequency Operation
u
Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Applications:
u
AC Motor Control
u
Motion/Servo Control
u
UPS
u
Welding Power Supplies
Ordering Information:
Example: Select the complete
module number you desire from
the table - i.e. CM75DU-12H is a
600V (V
CES
), 75 Ampere Dual
IGBT Module.
Current Rating
Amperes
V
CES
Type
Volts (x 50)
CM
75
12
Outline Drawing and Circuit Diagram
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM75DU-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
G
G
E2
E1
G1
E2
G2
C1
C2E1
A
B
G
F
C
V
2 - Mounting
Holes
(6.5 Dia.)
E
U
H
E2
C1
C2E1
C
3-M5 Nuts
D
J
K
L
N
M
P
P
Q
O
O
T
C
Measured
Point
R
S
T
TAB#110 t=0.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM75DU-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM75DU-24H Dual IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts
CM75DY-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM75DY-12H Dual IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts
CM75DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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