參數(shù)資料
型號(hào)： CM300DY12E
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 300A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 300?我（丙）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： CM300DY12E
Sep.1998
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
C
,
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
600
0
2
4
6
8
10
300
100
0
V
GE
= 20V
15
12
11
8
7
T
j
= 25
o
C
200
400
500
10
9
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
C
C
,
TRANSFE(TYPICAL)
600
0
4
8
12
16
20
400
300
200
100
0
V
CE
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
500
COLLECTOR-CURRENT, I
C
, (AMPERES)
C
S
C
,
SATURATICOLL(TYPICAL)
5
0
100
200
300
400
600
4
3
2
1
0
500
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
C
S
C
,
SATURATICOLL(TYPICAL)
10
0
4
8
12
16
20
8
6
4
2
0
T
j
= 25°C
I
C
= 120A
I
C
= 600A
I
C
= 300A
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
10
1
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V
EC
, (VOLTS)
FORFRE(TYPICAL)
10
2
10
3
E
E
,
T
j
= 25°C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
i
,
o
,
r
,
CAPACITANCE VS. V
CE
(TYPICAL)
10
-1
10
0
10
2
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
GE
= 0V
10
1
C
ies
C
oes
C
res
COLLECTOR CURRENT, I
C
, (AMPERES)
S
HALF-BRIDGE
SWITCHIN(TYPICAL)
10
3
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
t
d(off)
t
d(on)
t
r
V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V
R
G
= 2.1
T
j
= 125°C
t
f
EMITTER CURRENT, I
E
, (AMPERES)
R
r
,
REVERSE REC(TYPICAL)
10
3
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
t
rr
I
rr
di/dt = -600A/
μ
sec
T
j
= 25
C
10
2
10
1
10
0
R
r
,
GATE CHARGE, Q
G
, (nC)
G
G
,
GATE CHARGE, V
GE
20
0
200
400
600
800
1000
16
12
8
4
0
V
CC
= 200V
I
C
= 300A
1200
V
CC
= 300V
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DY-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM300E3Y12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
CM300HA12E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 300A I(C)
CM300HA24E TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
CM300HA24H
CM300HA28 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.4KV V(BR)CES | 300A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM300DY-12E 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
CM300DY-12H 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DY12NF 制造商:Powerex 功能描述:24 hours to ship (or special charge)
CM300DY-12NF 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A NF SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DY-12NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
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