參數(shù)資料
型號: CM300DY-24H
廠商: POWEREX INC
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Dual IGBTMOD 300 Amperes/1200 Volts
中文描述: 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù): 4/4頁
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代理商: CM300DY-24H
Sep.1998
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DY-24H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
N
t
IMPETRANSI(IGBT)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.06
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
TIME, (s)
TIME, (s)
N
t
IMPETRANSIENT THERMAL
(FWDi)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.12
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM300DY-24NF HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY-28H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DY-28H Dual IGBTMOD 300 Amperes/1400 Volts
CM300E3U-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300E3U-12H Chopper IGBTMOD 300 Amperes/600 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CM300DY-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY-24NFH 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM300DY-24S 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT HALF BRIDGE 1200V 300A MOD 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 300A; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:300A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:2.27kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM300DY-28H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 300A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B