參數(shù)資料
型號： CM300DU-24F
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 300 Amperes/1200 Volts
中文描述： 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 73K
代理商： CM300DU-24F
Aug. 1999
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DU-24F
HIGH POWER SWITCHING USE
V
GE
= 20V
T
j
= 25
°
C
15
11
10
9.5
9
8.5
8
600
400
200
500
300
100
00
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
3
2.5
2
1.5
0.5
1
00
200
400
600
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
GE
= 15V
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
T
j
= 25
°
C
5
4
3
2
1
0
20
6
8
12
16
10
14
18
I
C
= 600A
I
C
= 300A
I
C
= 120A
T
j
= 25
°
C
10
–1
10
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
2
10
0
3
5 7
2
10
1
3
5 7
2
10
2
3
5 7
V
GE
= 0V
C
ies
C
oes
C
res
10
1
10
2
5
7
10
3
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
0
Conditions:
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 1
T
j
= 125
°
C
Inductive load
2
3
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
GATE-EMITTER VOLTAGE V
GE
(V)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
E
E
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
CAPACITANCE–V
CE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
i
,
o
,
r
(
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
C
S
C
(
S
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
PERFORMANCE CURVES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM300DU-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DU-24H Dual IGBTMOD 300 Amperes/1200 Volts
CM300DY-12NF HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY-12 HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM3001-13MA Analog IC
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參數(shù)描述
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