參數(shù)資料
型號: CM300DU-12F
廠商: POWEREX INC
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 300 Amperes/600 Volts
中文描述: 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 74K
代理商: CM300DU-12F
Aug. 1999
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DU-12F
HIGH POWER SWITCHING USE
10
1
10
2
2
3
5 7
10
3
2
3
5 7
10
1
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3
2
3
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10
1
10
–3
10
–5
10
–4
10
0
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–3
2 3 57
IGBT part:
Per unit base = R
th(j–c)
= 0.16
°
C/W
FWDi part:
Per unit base = R
th(j–c)
= 0.24
°
C/W
2 3 57
2 3 57
2 3 57
10
1
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–2
10
–1
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0
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–3
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7
5
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–2
7
5
3
10
–1
3
2
2 3 57
2 3 57
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
500
1000
1500
2000
2500
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
I
C
= 300A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
t
rr
I
rr
Conditions:
V
CC
= 300V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 2.1
T
j
= 25
°
C
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE
(TYPICAL)
EMITTER CURRENT I
E
(A)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT part & FWDi part)
N
T
t
°
C
TMIE (s)
GATE CHARGE
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
G
G
(
GATE CHARGE Q
G
(nC)
R
r
(
R
r
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM300DU-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DU-12H Dual IGBTMOD⑩ U-Series Module 300 Amperes/600 Volts
CM300DU-12NFH HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-24F HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-24F Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 300 Amperes/1200 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM300DU-12F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-12H 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A U SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DU-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DU-12NFH 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A NFH SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM300DU-12NFH_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE