參數(shù)資料
型號: CM200DU-12NFH
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: HIGH POWER SWITCHING USE
中文描述: 大功率開關(guān)使用
文件頁數(shù): 1/4頁
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代理商: CM200DU-12NFH
Feb.2004
CM200DU-12NFH
APPLICATION
High frequency switching use (30kHz to 60kHz).
Gradient amplifier, Induction heating, power supply, etc.
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200DU-12NFH
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
200A
V
CES ............................................................
600V
Insulated Type
2-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
C2E1
E2
C1
G
E
E
G
C
G
E
C2E1
C1
E2
94
16
16
2.5
2
7
2.5
25
7
17
23
2
1
4
4
1
1
4
23
4
12
13.5
80
±
0.25
2–
φ
6.5
MOUNTING HOLES
3–M5NUTS
12mm deep
TAB #110. t=0.5
3
+
LABEL
CIRCUIT DIAGRAM
T
C
measured point
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM200DU-24F HIGH POWER SWITCHING USE
CM200DU-24F Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 200 Amperes/1200 Volts
CM200DU-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200DU-24H Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts
CM200DU-24NFH HIGH POWER SWITCHING USE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM200DU-12NFH_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM200DU-24F 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A F SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CM200DU-24F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
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