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參數(shù)資料
| 型號： | CLH07 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Switching Mode Power Supply Applications |
| 中文描述： | 開關(guān)電源的應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 207K |
| 代理商： | CLH07 |
CLH07
2006-11-08
1
TOSHIBA High Efficiency Rectifier Silicon Epitaxial Type
CLH07
○
Switching Mode Power Supply Applications
Forward voltage: V
FM
= 1.8 V (Max.)
Average forward current: I
F (AV)
= 5.0 A
Repetitive peak reverse voltage: V
RRM
= 400 V
Surface-mount package
“L
FLAT” (Toshiba package name)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
400
V
Average forward current
I
F(AV)
5.0
A
Peak one cycle surge forward current
(non-repetitive)
I
FSM
50 (50 Hz)
A
Junction temperature
T
j
40~150
°C
Storage temperature range
T
stg
40~150
°C
Note 1: T
=
92°C Rectangular waveform: (
α
=
180°)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
V
FM (1)
I
FM
=
1.0 A (pulse test)
0.98
V
FM (2)
I
FM
=
3.0 A (pulse test)
1.23
V
Peak forward voltage
V
FM (3)
I
FM
=
5.0 A (pulse test)
1.40
1.80
Repetitive peak reverse current
I
RRM
V
RRM
=
400 V (pulse test)
10
μ
A
Reverse recovery time
t
rr
I
F
=
2A, di/dt =
5
0 A/
μ
s
35
ns
Forward recovery time
t
fr
I
F
=
1.0 A
100
ns
Thermal resistance
(junction to ambient)
R
th (j-a)
Device mounted on a glass-epoxy
board (board size: 50 mm x 50 mm)
(board thickness: 1.6 t) (soldering land)
Cathode: 5.7 mm x 6.2 mm,
Anode :4.5 mm x 3.4 mm
100
°C/W
Thermal resistance
(junction to ambient)
R
th (j-
)
5
°C/W
Unit: mm
3
.
2
.
2
①
②
① アノード
②
CATHODE
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
3-4F1A
Weight: 0.15 g (typ.)
①
ANODE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CLH07(TE16L,NMB,Q) | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:5A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CLH07(TE16L,Q) | 功能描述:整流器 Diode Hi Efficiency 200V 5A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| CLH07(TE16R,Q) | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 5A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:5A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CLH0904-2-50TR-R | 功能描述:共模濾波器/扼流器 320nH 10A 2-PHASE IND RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE |
| CLH0904-3-50TR-R | 功能描述:共模濾波器/扼流器 380nH 10A 3-PHASE IND RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE |
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