應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SA720(TO-92封裝) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
1-4 K
¥115.00
5-9 K
¥110.00
≥10 K
¥108.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):C945P | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥30.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.625 | 集電極最大允許電流ICM:.02 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:200 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:40
≥1 PCS
¥48.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):C945 TO-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥30.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):BC546/BC547/BC548 TO-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥50.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):2SC1318Y(TO-92/92L封裝) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
1-4 K
¥90.00
5-9 K
¥88.00
≥10 K
¥85.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):C945(TO-92封裝) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
1-4 K
¥33.00
5-9 K
¥32.50
≥10 K
¥30.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):S8050D/S8550D(TO-92封裝) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
1-4 K
¥36.00
5-9 K
¥35.00
≥10 K
¥33.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):78L05(TO-92封裝) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
1-4 K
¥80.00
5-9 K
¥78.00
≥10 K
¥75.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn)長電 | 型號(hào):S9014 C9014 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝
1-9 K
¥25.00
10-99 K
¥23.00
≥100 K
¥22.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):A1281 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:50
≥1000 PCS
¥0.10
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):13003三極管to-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:2
≥1 K
¥58.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.625 | 集電極最大允許電流ICM:.02 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:200 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:40
≥1 PCS
¥48.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):M28S TO-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥45.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SC1815 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:2
≥1 K
¥30.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):C1815 TO-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥35.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):A42 TO-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥50.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥40.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):2N4401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥45.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):2N3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1 K
¥35.00