品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):UM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
￥0.28
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):RK7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥3000 個(gè)
￥0.12
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):EM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥8000 個(gè)
￥0.35
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):RTQ025P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
￥0.58
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):RSR025N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:2.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產(chǎn)品類型:其他
≥3000 個(gè)
￥0.55
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):2SK3019 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
￥0.12
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):2SK3018 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 類型:其他IC | 批號(hào):2010+2011+原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 | 封裝:SOT-323 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 個(gè)
￥0.10