應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:國產(chǎn)三極管 2N7002 2SA733 直插/TO-92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.65 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:12 | 結(jié)構(gòu):合金擴(kuò)散型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1KV
≥1000 PCS
¥0.04
品牌:NXP/恩智浦 | 型號:2N7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:音響 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:/
≥3000 個
¥0.07
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N7002 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:100
≥3 K
¥35.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N7002/702 2N7002K/W2K | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
3-51 k
¥38.00
52-101 k
¥35.00
≥102 k
¥33.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N2007 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N7002 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 擊穿電壓VCBO:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:0 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否
≥3000 PCS
¥0.04
應(yīng)用范圍:高反壓 | 品牌:ON/安森美 | 型號:2N7002(字702) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否
≥1000 個
¥0.06
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N7002 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是
≥5 PCS
¥0.05
應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:進(jìn)口 | 型號:2N7002E T/R 2N7002 2N7002K-T1-E3 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:原裝現(xiàn)貨 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:原裝現(xiàn)貨 | 結(jié)構(gòu):合金型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:原裝現(xiàn)貨
≥1 PCS
¥0.07
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N7002W | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-323
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N7002 | 材料:硅(Si)
3-50 k
¥70.00
≥51 k
¥68.00
品牌:ON/安森美 | 型號:2N7002 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥0.07