品牌:ST/意法 | 型號:STB80NF03L-04T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO-263 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:ST/意法 | 型號:STB80NF03L-04 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO-263 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號:UPC29M08T-E1 | 材料:N-FET硅N溝道 | 品牌:NEC/日本電氣 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強型 | 包裝:2000PCS/REEL

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:NTR4101PT1G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SMD | 集電極最大耗散功率PCM:貼片/直插三極管 | 集電極最大允許電流ICM:貼片/直插三極管 | 截止頻率fT:貼片/直插三極管

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDS332P | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5886 | 材料:- | 封裝形式:SMD

封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號:FDN340P | 用途:A/寬頻帶放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BAS78D | 材料:硅(Si) | 類型:其他IC | 功耗:- | 批號:12+ | 產(chǎn)品類型:開關(guān)管 | 溝道類型:其他 | 針腳數(shù):- | 是否進(jìn)口:是 | 工作溫度范圍:- | 加工定制:否 | 封裝:SMD

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:AOS | 型號:AO3400A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 批號:14+ | 封裝:SOT23

加工定制:否 | 品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號:S1ZB60 | 種類:激光晶體 | 波段范圍:遠(yuǎn)紅外 | 運轉(zhuǎn)方式:連續(xù)式 | 激勵方式:光泵式 | 工作物質(zhì):半導(dǎo)體 | 光路徑:內(nèi)光路 | 輸出波長:原廠規(guī)格（nm） | 線寬:原廠規(guī)格（mm） | 封裝形式:SMD | 產(chǎn)品類型:其他 | 應(yīng)用范圍:功率

封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號:RVQ040N05TR | 材料:N-FET硅N溝道 | 品牌:ROHM/羅姆 | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDB8880_NL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:2N7002、PESD5V0L5UY | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:貼片型 | 功率:多款 | 批號:12+ | 封裝:DIP/SMD

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC638P-NL1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 包裝:3000PCS/REEL

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SC4081 | 材料:其他 | 封裝形式:SMD | 類型:其他IC | 批號:10+ | 封裝:SOT323

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT3906LT1G | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:IMH9AT110 IMH10AT110 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SMD | 備注:ROHM 2012年原裝現(xiàn)貨 | 產(chǎn)品類型:其他 | 是否進(jìn)口:是

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BAT70-05 | 材料:硅(Si) | 電壓，Vz:- | 類型:其他IC | 功耗:- | 批號:12+ | 產(chǎn)品類型:肖特基管 | 溝道類型:其他 | 針腳數(shù):- | 是否進(jìn)口:是 | 工作溫度范圍:- | 加工定制:否 | 封裝:SMD

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK320 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道