參數(shù)資料
型號(hào)： CGY195
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： 衰減器
英文描述： GaAs MMIC
中文描述： RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： CGY195
GaAs MMIC
CGY 195
_________________________________________________________________________________________________________
Tentative Data
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 1/3
27.01.97
HL EH PD 21
l
Power amplifier for DECT application,
single voltage supply
Operating voltage range: 2.7 to 6 V
Pout = 26dBm at Vd=3.3V
Overall power added efficiency 44 %
l
l
l
l
ESD:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge sensitive device,
observe handling precautions!
Type
Marking
Ordering code
(taped)
Package
1)
CGY 195
t.b.d.
t.b.d.
MW 5
Maximum ratings
Characteristics
Symbol
max. Value
Unit
Positive supply voltage
VD
ID
8
V
Supply current
t.b.d.
A
Maximum input power
Pinmax
t.b.d.
dBm
Channel temperature
TCh
Tstg
Ptot
150
°C
Storage temperature
-55...+150
°C
Total power dissipation
(Ts < 81 °C)
Ts: Temperature at soldering point
t.b.d.
W
Pulse peak power
PPulse
t.b.d.
W
Thermal Resistance
Channel-soldering point
RthChS
t
.
b.d
.
K/W
1) Plastic body identical to MW-6
RF_out / VD2
4
GND
5
3
2
VD1
1
GND
RF-in
VPW05980
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CGY21 GaAs MMIC (Two-stage monolithic microwave IC MMIC amplifier)
CGY2100HL Transimpedance Amplifier
CGY2100UH Transimpedance Amplifier
CGY31 GaAs MMIC (Two-stage monolithic microwave IC MMIC amplifier All-gold metallization Chip fully passivated)
CGY353 GaAs MMIC
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參數(shù)描述
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CGY2010G 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:GSM 4 W power amplifiers
CGY2011G 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:GSM 4 W power amplifiers
CGY2013G 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:GSM 4 W power amplifier
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