參數(shù)資料
型號(hào)： CGY0819
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： 衰減器
英文描述： GaAs MMIC (Tri mode power amplifier for AMPS/ CDMA /TDMA portable cellular phones Dual band operation)
中文描述： 824 MHz - 1910 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
文件頁(yè)數(shù)： 10/18頁(yè)
文件大小： 304K
代理商： CGY0819
CGY 0819
Siemens Aktiengesellschaft
Semiconductor Group
10
10
16.09.98
HL HF PE GaAs 1 / Fo
CDMA Mode: Gain vs. f
Vd=4V, Pout=29,5dBm, Iq=300mA
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
T
CDMA Mode: PAE vs. f
Vd=4V, Pout=29,5dBm, Iq=300mA
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
P
Typical Performance in Cellular TDMA Operation Mode
TDMA Mode: Pout, PAE & Id vs. Pin
Vd=3,5V, Iq=300mA, f=836,5 MHz, T=25°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-15
-13
-11
-9
-7
-5
-3
-1
1
3
5
Pin [dBm]
P
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
I
Pout [dBm]
PAE [%]
Id [mA]
TDMA Mode: ACPR & TG vs. Pout
Vd=3,5V, Iq=300mA, f=836,5 MHz, T=25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
14
16
18
20
22
24
26
28
30
Pout [dBm]
A
22
23
24
25
26
27
28
29
30
T
Padj [dBc]
Palt [dBc]
TG [dB]
TDMA Mode: Padj vs. f
Vd=3,0V, Pout=29dBm, Iq=300mA
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
A
TDMA Mode: Palt vs. f
Vd=3,0V, Pout=29dBm, Iq=300mA
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CGY0918 GaAs MMIC (Dual band GSM/PCN power amplifier 35dBm / 34dBm output power at 3.5 V Two amplifiers in a single package)
CGY120 GaAs MMIC (Monolithic microwave IC MMIC-Amplifier for mobile communication)
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參數(shù)描述
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CGY1041,112 功能描述:射頻放大器 1CH 3.6dB 30V 265mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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