參數(shù)資料
型號(hào)： CGH40045
廠商： Cree, Inc.
英文描述： 45 W, RF Power GaN HEMT
中文描述： 45瓦，射頻功率GaN HEMT器件
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
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代理商： CGH40045
Subject to change without notice.
www.cree.com/wireless
CGH40045
45 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40045 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high
electron mobility transistor (HEMT). The CGH40045, operating
from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution
to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer
high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities making
the CGH40045 ideal for linear and compressed amplifier circuits.
The transistor is available in a flange package.
PRELIMINARY
R
FEATURES
Up to 4 GHz Operation
>16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
12 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
55 W Typical P
3dB
55 % Efficiency at P3dB
28 V Operation
APPLICATIONS
2-Way Private Radio
Broadband Amplifiers
Cellular Infrastructure
Test Instrumentation
Class A, AB, Linear amplifiers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Types: 440193
PN: CGH40045F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CGO869 870 MHz optical receiver with integrated gain control
CGY2010G GSM 4 W power amplifiers
CGY2011G GSM 4 W power amplifiers
CGY2013G GSM 4 W power amplifier
CGY2014 GSM/DCS/PCS power amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CGH40045F 功能描述:TRANS 45W RF GAN HEMT 440193 PKG RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GaN 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
CGH40045F-TB 功能描述:BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40045 RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件，板 系列:GaN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:GPS 接收器 頻率:1575MHz 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 已供物品:模塊 其它名稱:SER3796
CGH40090PP 制造商:Cree 功能描述:TRANS 90W RF GAN HEMT 440199 PKG
CGH40090PP-TB 制造商:Cree 功能描述:BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40090
CGH40120F 功能描述:TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:GaN 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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