參數(shù)資料
型號： CGD1040HI
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率放大器
英文描述： Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 VDC. Employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
封裝： CGD1040HI<SOT115J|<<<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： CGD1040HI
CGD1040HI_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 22 September 2009
4 of 7
NXP Semiconductors
CGD1040HI
1 GHz, 20 dB gain GaAs high output power doubler
6.
Package outline
Fig 1.
Package outline SOT115J
UNIT
A2
max.
c
ee1
q
Q
max.
q1
q2
U2
U1
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
20.8
9.1
0.51
0.38
0.25 27.2 2.54 13.75 2.54 5.08 12.7 8.8
4.15
3.85
2.4
38.1 25.4 10.2 4.2
44.75
44.25
8.2
7.8
0.25
0.1
3.8
bF
p
6-32
UNC
y
w
0.7
x
S
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT115J
0
5
10 mm
scale
A
max.
D
max.
L
min.
E
max.
Z
max.
Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;
2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
D
U1
q
q2
q1
b
F
S
A
Z
p
E
A2
L
c
d
Q
U2
M
w
78
9
23
W
e
e1
5
p
1
d
max.
x M B
y M B
B
99-02-06
04-02-04
y M B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CGD1042HI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
CGD1044HI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
CGD985HCI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
CGD985HCI 1 GHz, 25 dB gain GaAs high output power doubler
CGD987HCI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CGD1040HI,112 功能描述:射頻放大器 1GHz,20 dB gain GaAs H-output PWR doubler RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
CGD1042 功能描述:射頻放大器 CATV MODULES RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
CGD1042,112 功能描述:射頻放大器 CATV MODULES RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
CGD1042H 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:1 GHz, 23 dB gain high output power doubler
CGD1042H,112 功能描述:射頻混合器 CATV MODULES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 頻率范圍: 轉(zhuǎn)換損失——最大: 工作電源電壓:6 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
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