型號(hào): | CFY67 |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
中文描述: | 伊雷爾K波段低噪聲砷化鎵超遷移率晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 5/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 747K |
代理商: | CFY67 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CFY67-06 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
CFY67-08 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
CFY67-08P | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
CFY67-10 | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
CFY67-10P | HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CFY67_11 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
CFY67-06 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
CFY67-08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |
CFY67-08 (P) | 功能描述:射頻GaAs晶體管 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
CFY67-08P | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT |