參數(shù)資料
型號： CFY25
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
中文描述： 砷化鎵場效應管（低噪聲高增益對于前端放大器離子注入平面結構全部鍍金）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 2088K
代理商： CFY25
CFY25
Semiconductor Group
6 of 8
Draft D, Sep. 0000
Typical Common Source S-Parameters
CFY25-20
(continued)
V
DS
= 3 V, I
D
= 30 mA, Z
o
= 50
|S21|
<S21
|S12|
[mag]
[ang]
[mag]
3,987
159
0,0140
3,858
153
0,0246
3,714
146
0,0346
3,583
138
0,0444
3,484
128
0,0543
3,374
118
0,0621
3,254
108
0,0684
3,129
99
0,0736
3,007
90
0,0779
2,890
82
0,0810
2,776
73
0,0844
2,662
65
0,0863
2,556
57
0,0880
2,458
50
0,0893
2,374
42
0,0904
2,299
35
0,0918
2,233
28
0,0933
2,174
21
0,0945
2,120
14
0,0960
2,071
7
0,0976
2,026
0
0,0990
1,984
-7
0,1006
1,947
-14
0,1026
1,910
-21
0,1047
1,876
-29
0,1066
1,842
-36
0,1088
1,806
-43
0,1108
1,774
-50
0,1140
1,745
-57
0,1170
1,719
-64
0,1199
1,698
-72
0,1229
1,676
-79
0,1257
1,653
-87
0,1286
1,646
-93
0,1320
1,649
-99
0,1350
1,656
-103
0,1376
f
|S11|
<S11
[ang]
-24
-30
-39
-49
-60
-72
-83
-94
-104
-114
-124
-133
-141
-149
-157
-165
-173
179
171
163
154
146
138
130
123
115
107
99
91
83
75
66
58
50
45
40
<S12
[ang]
74
67
60
55
49
43
38
32
27
22
18
14
10
6
3
0
-2
-5
-8
-10
-13
-16
-19
-22
-25
-28
-32
-35
-39
-43
-48
-53
-58
-63
-67
-71
|S22|
[mag]
0,657
0,647
0,634
0,621
0,608
0,594
0,576
0,557
0,541
0,527
0,515
0,505
0,498
0,492
0,486
0,480
0,474
0,467
0,459
0,453
0,446
0,441
0,436
0,432
0,428
0,425
0,424
0,422
0,421
0,419
0,417
0,414
0,412
0,410
0,409
0,407
<S22 k-Fact. S
21
/S
12
[ang]
[mag]
-15
0,49
-18
0,53
-23
0,56
-28
0,59
-35
0,58
-41
0,60
-47
0,63
-53
0,67
-59
0,70
-65
0,74
-72
0,78
-78
0,83
-84
0,88
-89
0,93
-94
0,98
-99
1,02
-103
1,07
-108
1,11
-112
1,15
-118
1,18
-123
1,21
-129
1,23
-136
1,24
-142
1,25
-149
1,26
-155
1,27
-161
1,28
-167
1,27
-173
1,26
-179
1,26
175
1,24
168
1,23
162
1,23
157
1,20
152
1,16
148
1,13
MAG
[dB]
[GHz] [mag]
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
[dB]
24,5
22,0
20,3
19,1
18,1
17,4
16,8
16,3
15,9
15,5
15,2
14,9
14,6
14,4
14,2
14,0
13,8
13,6
13,4
13,3
13,1
12,9
12,8
12,6
12,5
12,3
12,1
11,9
11,7
11,6
11,4
11,2
11,1
11,0
10,9
10,8
0,953
0,921
0,892
0,861
0,836
0,814
0,790
0,768
0,749
0,731
0,714
0,699
0,683
0,669
0,657
0,645
0,632
0,620
0,609
0,600
0,592
0,586
0,579
0,574
0,571
0,566
0,563
0,561
0,559
0,556
0,556
0,556
0,557
0,559
0,561
0,565
13,1
12,2
11,6
11,1
10,7
10,4
10,1
9,8
9,6
9,4
9,2
9,0
8,8
8,7
8,5
8,4
8,3
8,2
8,3
8,4
8,6
相關PDF資料
PDF描述
CFY25-17 GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
CFY25-20 GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
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參數(shù)描述
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CFY25-20 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-20 (S) 功能描述:射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
CFY25-20P 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
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