參數(shù)資料
型號： CFY25-20
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
中文描述： 伊雷爾X波段功率低噪聲/通用場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 2088K
代理商： CFY25-20
CFY25
Semiconductor Group
4 of 8
Draft D, Sep. 0000
Electrical Characteristics
(continued)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
AC Characteristics
Noise figure
1)
V
DS
= 3 V, I
D
= 15 mA, f = 12 GHz
NF
dB
CFY25-P
-
< 2.3
-
CFY25-20, -20P
-
1.9
2.1
CFY25-23, -23P
-
2.2
2.4
Associated gain.
1)
V
DS
= 3 V, I
D
= 15 mA, f = 12 GHz
G
a
dB
CFY25-P
-
> 8.5
-
CFY25-20, -20P
8.5
9
-
CFY25-23, -23P
8.0
8.7
-
Output power at 1 dB gain compression
2)
V
DS
= 3 V, I
D(RF off)
= 20 mA, f = 12 GHz
P
1dB
dBm
CFY25-20, -23
-
15
-
CFY25-20P, 23P, -P
14
15
-
Linear power gain
2)
V
DS
= 3 V, I
D
= 20 mA, f = 12 GHz,
P
in
= 0 dBm
G
lp
dB
CFY25-20
-
9.2
-
CFY25-23
-
8.5
-
CFY25-20P, -P
8.5
9.2
-
CFY25-23P
8.0
8.5
-
Notes.:
1) Noise figure / sssociated gain characteristics given for minimum noise figure matching
conditions (fixed generic matching, no fine-tuning).
2) Output power / linear power gain characteristics given for optimum output power matching
conditions (fixed generic matching, no fine-tuning).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CFY25-20P HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23P HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-P HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25 GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CFY25-20 (S) 功能描述:射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
CFY25-20P 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
CFY25-23 (P) 功能描述:射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
CFY25-23P 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*