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參數(shù)資料
| 型號： | CAT28LV65 |
| 英文描述： | 64K-Bit CMOS Parallel EEPROM(低壓,低功耗，64K位（8K x 8位）并行CMOS EEPROM) |
| 中文描述： | 64K的位CMOS并行的EEPROM（低壓，低功耗，64K的位（8K的× 8位）并行的CMOS EEPROM的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | CAT28LV65 |
CAT28LV65
4
Preliminary
Doc. No. 25041-00 2/98
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) Output floating (High-Z) is defined as the state when the external data line is no longer driven by the output buffer.
(3) V
IHC
= V
CC
–0.3V to V
CC
+0.3V.
D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
V
cc
= 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified.
Limits
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
I
CC
V
CC
Current (Operating, TTL)
8
mA
CE = OE = V
IL
,
f = 1/t
RC
min, All I/O’s Open
I
SBC(3)
V
CC
Current (Standby, CMOS)
100
μ
A
CE = V
IHC
,
All I/O’s Open
I
LI
Input Leakage Current
–1
1
μ
A
μ
A
V
IN
= GND to V
CC
I
LO
Output Leakage Current
–5
5
V
OUT
= GND to V
CC
,
CE = V
IH
V
IH(3)
High Level Input Voltage
2
V
CC
+0.3
V
V
IL
Low Level Input Voltage
–0.3
0.6
V
V
OH
High Level Output Voltage
2
V
I
OH
= –100
μ
A
V
OL
Low Level Output Voltage
0.3
V
I
OL
= 1.0mA
V
WI
Write Inhibit Voltage
2
V
28LV65-25
28LV65-30
28LV65-35
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
t
RC
Read Cycle Time
250
300
350
ns
t
CE
CE
Access Time
250
300
350
ns
t
AA
Address Access Time
250
300
350
ns
t
OE
OE
Access Time
100
150
150
ns
t
LZ(1)
CE
Low to Active Output
0
0
0
ns
t
OLZ(1)
OE
Low to Active Output
0
0
0
ns
t
HZ(1)(2)
CE
High to High-Z Output
55
60
60
ns
t
OHZ(1)(2)
OE
High to High-Z Output
55
60
60
ns
t
OH(1)
Output Hold from Address Change
0
0
0
ns
A.C. CHARACTERISTICS, Read Cycle
V
cc
= 3.0V to 3.6V, unless otherwise specified.
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PDF描述 |
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| CAT28LV65G-25T | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K-Bit CMOS PARA 電可擦除可編程只讀存儲器 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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