參數(shù)資料
型號: CAT28F001NI-12T
元件分類: PROM
英文描述: 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
封裝: PLASTIC, LCC-32
文件頁數(shù): 13/18頁
文件大?。?/td> 455K
代理商: CAT28F001NI-12T
CAT28F001
4
Doc. No. 1078, Rev. I
D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
VCC = +5V ±10%, unless otherwise specified
Limits
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
Test Conditions
ILI
Input Leakage Current
±1.0
AVIN = VCC or VSS
VCC = 5.5V
ILO
Output Leakage Current
±10
AVOUT = VCC or VSS,
VCC = 5.5V
ISB1
VCC Standby Current CMOS
100
A
CE = VCC
±0.2V = RP
VCC = 5.5V
ISB2
VCC Standby Current TTL
1.5
mA
CE = RP = VIH, VCC = 5.5V
IPPD
VPP Deep Powerdown Current
1.0
A
RP = GND
±0.2V
ICC1
VCC Active Read Current
30
mA
VCC = 5.5V, CE = VIL,
IOUT = 0mA, f = 8 MHz
ICC2(1)
VCC Programming Current
20
mA
VCC = 5.5V,
Programming in Progress
ICC3(1)
VCC Erase Current
20
mA
VCC = 5.5V,
Erase in Progress
IPPS
VPP Standby Current
±10
AVPP < VCC
200
AVPP > VCC
IPP1
VPP Read Current
200
AVPP = VPPH
IPP2(1)
VPP Programming Current
30
mA
VPP = VPPH,
Programming in Progress
IPP3(1)
VPP Erase Current
30
mA
VPP = VPPH,
Erase in Progress
VIL
Input Low Level
–0.5
0.8
V
VOL
Output Low Level
0.45
V
IOL = 5.8mA, VCC = 4.5V
VIH
Input High Level
2.0
VCC+0.5
V
VOH
Output High Level
2.4
V
IOH = 2.5mA, VCC = 4.5V
VID
A9 Signature Voltage
11.5
13.0
V
A9 = VID
IID
A9 Signature Current
500
AA9 = VID
ICCD
VCC Deep Powerdown Current
1.0
A
RP = GND
±0.2V
ICCES
VCC Erase Suspend Current
10
mA
Erase Suspended CE = VIH
IPPES
VPP Erase Suspend Current
300
A
Erase Suspended VPP=VPPH
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CAT28F001NI-90T 功能描述:閃存 (128x8) 1M RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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