參數(shù)資料
型號(hào)： C67078-S1329-A2
廠商： SIEMENS AG
英文描述： SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level)
中文描述： SIPMOS功率晶體管（N通道增強(qiáng)模式雪崩級(jí)邏輯電平）
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
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代理商： C67078-S1329-A2
7
07/96
Semiconductor Group
BUZ 10 L
Not for new design
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(T
j
)
parameter: I
D
= 11.5 A, V
GS
= 5 V
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
160
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.22
R
DS (on)
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS (th)
=
(T
j
)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= 1 mA
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
V
4.6
V
GS(th)
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
160
2%
typ
98%
Typ. capacitances
C= f(V
DS
)
parameter:V
GS
= 0V, f= 1MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
40
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
nF
C
C
iss
C
oss
C
rss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(V
SD
)
parameter: T
j
, t
p
= 80 μs
-1
0.0
10
0
10
1
10
2
10
A
I
F
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
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PDF描述
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