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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | C67078-A1309-A3 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶體管（N通道增強(qiáng)模式） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | C67078-A1309-A3 |
Semiconductor Group
8
07/96
BUZ 80A
Typ. gate charge
V
GS
=
(Q
Gate
)
parameter: I
D puls
= 5 A
0
10
20
30
40
50
nC
65
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
(T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
160
720
740
760
780
800
820
840
860
880
900
920
V
960
V
(BR)DSS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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