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參數資料
| 型號： | C67078-A1307-A4 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶體管（N通道增強模式） |
| 文件頁數： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | C67078-A1307-A4 |
Semiconductor Group
2
07/96
BUZ 50 B
Electrical Characteristics,
at T
j
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 0.25 mA, T
j
= 25 °C
Gate threshold voltage
V
GS=
V
DS,
I
D
= 1 mA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0 V, T
j
= 25 °C
V
DS
= 1000 V, V
GS
= 0 V, T
j
= 125 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
Drain-Source on-resistance
V
GS
= 10 V, I
D
= 1.5 A
V
(BR)DSS
1000
-
-
V
V
GS(th)
2.1
3
4
I
DSS
-
-
100
20
1000
250
μA
I
GSS
-
10
100
nA
R
DS(on)
-
6.5
8
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