參數(shù)資料
型號： C30737E-500
廠商： PerkinElmer Inc.
英文描述： Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode
中文描述： 硅雪崩光電二極管外延
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： C30737E-500
optoelectronics.perkinelmer.com
D
C30737
Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode
Description
The C30737 type avalanche photodiode provides high
responsivity between 500 nm and 1000 nm, as well as
extremely fast rise times at all wavelengths with a
frequency response up to 1.0 GHz. The active area
diameters of the photosensitive surface are 0.23 mm
and 0.5mm. Other photosensitive diameters are also
available on a custom basis.
The detector chip is hermetically sealed behind a flat
glass window mounted in a TO-18 package. TO-18
plastic sealed packages and plastic surface mount
packages are additional options.
PerkinElmer Optoelectronics is committed to supplying
the highest quality products to our customers. Certified
to meet ISO 9001, the Epitaxial series is designed to
satisfy MIL-STD-883 and/or MIL-STD-750.
Applications
Range Finding
Optical communication systems
Features
Low cost
0.23 mm and 0.5mm active
diameter
High gain at low bias voltage
Low breakdown voltage
Fast response
Low noise
Optoelectronics
PRELIMINARY DATA SHEET
Page 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
C30737P-230 Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode
C30737P-500 Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode
C30822 N-Type Silicon PIN Photodetectors
C30807 N-Type Silicon PIN Photodetectors
C30808 Solder and Press-Fit Mountable Micro Jacks and Sockets
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
C30737LH-230-80A 功能描述:Photodiode 800nm 220μs 6-CLCC 制造商:excelitas technologies 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 波長:800nm 顏色 - 增強(qiáng):- 頻譜范圍:800nm ~ 1000nm 二極管類型:雪崩 不同 nm 時的響應(yīng)度:50 A/W @ 800nm 響應(yīng)時間:220μs 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:210V 電流 - 暗（典型值）:2.5nA 有效面積:230μm 直徑 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 60°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-CLCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
C30737LH-230-83A 功能描述:Photodiode 650nm 220μs 6-CLCC 制造商:excelitas technologies 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 波長:650nm 顏色 - 增強(qiáng):- 頻譜范圍:500nm ~ 1000nm 二極管類型:雪崩 不同 nm 時的響應(yīng)度:35 A/W @ 650nm 響應(yīng)時間:220μs 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:210V 電流 - 暗（典型值）:2.5nA 有效面積:230μm 直徑 視角:- 工作溫度:5°C ~ 50°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-CLCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
C30737LH-500-80A 功能描述:Photodiode 650nm 300μs 6-CLCC 制造商:excelitas technologies 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 波長:650nm 顏色 - 增強(qiáng):- 頻譜范圍:500nm ~ 1000nm 二極管類型:雪崩 不同 nm 時的響應(yīng)度:35 A/W @ 650nm 響應(yīng)時間:300μs 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:210V 電流 - 暗（典型值）:5nA 有效面積:500μm 直徑 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 60°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-CLCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
C30737LH-500-92CTR 功能描述:Photodiode 905nm 600μs 6-CLCC 制造商:excelitas technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 波長:905nm 顏色 - 增強(qiáng):- 頻譜范圍:500nm ~ 1000nm 二極管類型:雪崩 不同 nm 時的響應(yīng)度:60 A/W @ 900nm 響應(yīng)時間:600μs 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:* 電流 - 暗（典型值）:5nA 有效面積:500μm 直徑 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 60°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-CLCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
C30737P-230 制造商:PERKINELMER 制造商全稱:PerkinElmer Optoelectronics 功能描述:Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode
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