CSD75211W1723

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型號(hào)
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封裝
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說明
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功能描述
MOSFET Dual N-Channel Nex FET Power MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD75211W1723 技術(shù)參數(shù)

CSD75208W1015T 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD75208W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD75207W15 功能描述:MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:162 毫歐 @ 1A，1.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD75205W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD75204W15 功能描述:MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86330EVM-717 CSD86330Q3D CSD86350Q5D CSD86350Q5DEVM-604 CSD86360Q5D CSD87312Q3E CSD87313DMS CSD87313DMST CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D