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CSD87503Q3E

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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TI/德州儀器

  • SON8

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  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • CSD87503Q3E
    CSD87503Q3E

    CSD87503Q3E

  • 廣東濟(jì)德精密電子有限公司
    廣東濟(jì)德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓

  • 100

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CSD87503Q3E 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87502Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32.4 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:353pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87501LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:10-Picostar（3.37x1.47） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87501L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:10-Picostar（3.37x1.47） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87384MT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB（5x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87384M 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB（5x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MT CSD95373AQ5M CSD95373BQ5M CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT
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