參數(shù)資料
型號(hào): BZX85C30
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述: 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 72K
代理商: BZX85C30
80
60
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20
10
11
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16
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2224
27
30333639434751
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I
ZT
82
91
T
j
= 25 oC
0
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20
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50
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V
z
, zener voltage (V)
BREAKDOWN CHARACTERISTICS
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200
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120
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40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
6V8
8V2
9V1
T
j
= 25 oC
V
z
, zener voltage (V)
Nov - 02
BZX85C6V2GP........BZX85C220GP
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PDF描述
BZX85B3V0 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZX85B6V2 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
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BZX85B10 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZX85B24 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
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參數(shù)描述
BZX85-C30 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE ZENER 30V 1.3W 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE, ZENER, 30V, 1.3W 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE, ZENER, 30V, 1.3W; Zener Voltage Vz Typ:30V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:200C; Diode Case Style:DO-41; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Diode Type:Zener; ;RoHS Compliant: Yes
BZX85C30 A0G 功能描述:DIODE ZENER 30V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 22V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BZX85C30 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 30V 5% 1.3W 2-Pin DO-41 T/R
BZX85C30 R0G 功能描述:DIODE ZENER 30V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 22V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
BZX85C30 SB00018/E1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 30V 1.3 W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 30V, 1.3 W