型號: | BZX85B36 |
英文描述: | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
中文描述: | 硅外延平面?朌iodes |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 72K |
代理商: | BZX85B36 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BZX85B39 | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B3V6 | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B3V9 | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B4V7 | 64 Kbit (8 Kbit X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B5V6 | 64 Kbit (8 Kbit X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BZX85B36 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 36V |
BZX85B36-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 36 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B36-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 36 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B39 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 39 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B39 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 39V |