參數(shù)資料
型號： BZX85B33
英文描述： 5.0 or 3.3 V, 4 Mbit (512 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM
中文描述： 硅外延平面?朌iodes
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： BZX85B33
1.5
1.3
1
0.5
0
0
Tamb. ambient temperature oC
I
I
160
120
80
40
0
0
10
20
30
I, lead lenght (mm.)
10
2
5
4
3
2
5
4
3
2
5
4
3
2
10
1
0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
-5
V
1
= 0
-4
-3
-2
-1
10
1
10
10
10
10
10
tp (sec.)
K/W 10
3
d = 4 mm.
T
amb
= 25oC.
r
z
6
4
2
V
ZT
120
75
62
43
30
20
10
8
6
4
2
8
6
4
2
10
10
10
2
1
0
2
4 68
2
4 68
2
4 68
10
-1
10
0
10
1
I
Z
(mA)
Diferential resistance r
Z
vs, current I
Z
for several
regulation voltages V
ZT
Test conditions: AC signal, amplitude i
Z
= 10% of I
Z
, f = 1 kHz
provided that leads are kept
at ambient temperature at a
distance of 10 mm. from case.
Pulse thermal resistance
versus pulse duration. Valid
t
p
V=t
p
T
T
P
I
R
t
h
10 mm, - 10 mm.
25
50
75 100 125 150 175
THERMAL RESISTANCE
MAXIMUM CONTINUOUS
POWER DISSIPATION
Nov - 02
BZX85C6V2GP........BZX85C220GP
typ.
max.
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PDF描述
BZX85B36 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM
BZX85B39 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM
BZX85B3V6 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM
BZX85B3V9 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM
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參數(shù)描述
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BZX85B33-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B33-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B36 功能描述:穩(wěn)壓二極管 36 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B36 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 36V
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