型號(hào): | BZX85B30 |
英文描述: | 5.0 or 3.3V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM |
中文描述: | 硅外延平面?朌iodes |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 72K |
代理商: | BZX85B30 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BZX85B33 | 5.0 or 3.3 V, 4 Mbit (512 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B36 | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B39 | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B3V6 | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B3V9 | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BZX85B30 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 30V |
BZX85B30-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B30-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B33 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B33 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 33V |