參數(shù)資料
型號: BZX85B20
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述: 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大小: 72K
代理商: BZX85B20
80
60
40
20
10
11
12
13
15
16
1820
2224
27
30333639434751
56
62
68
75
I
ZT
82
91
T
j
= 25 oC
0
10
20
30
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50
60
70
80
90
V
z
, zener voltage (V)
BREAKDOWN CHARACTERISTICS
240
200
160
120
80
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
6V8
8V2
9V1
T
j
= 25 oC
V
z
, zener voltage (V)
Nov - 02
BZX85C6V2GP........BZX85C220GP
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PDF描述
BZX85B22 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZX85C51 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
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參數(shù)描述
BZX85B20 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 20V
BZX85B20-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B20-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B22 功能描述:穩(wěn)壓二極管 22 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85B22 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 22V