型號: | BZX85B16 |
英文描述: | 5.0 or 3.3V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM |
中文描述: | 硅外延平面?朌iodes |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 72K |
代理商: | BZX85B16 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BZX85B18 | 5.0 or 3.3V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B2V7 | 5.0 or 3.3V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B30 | 5.0 or 3.3V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B33 | 5.0 or 3.3 V, 4 Mbit (512 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM |
BZX85B36 | 5.0V, 64 KBIT (8 KB X 8) TIMEKEEPER® SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BZX85B16 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 16V |
BZX85B16-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 16 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B16-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 16 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18 Volt 1.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX85B18 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-41;ZENER 1300MW 18V |