參數(shù)資料
型號(hào): BZX55B3V0
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述: 硅外延平面的Z -二極管
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
文件大小: 69K
代理商: BZX55B3V0
BZX55B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85604
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Low noise
Very high stability
Available with tighter tolerances
V
Z
–tolerance
±
2%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=4mm, T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=100mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BZX55B3V0 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
BZX55B3V0_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BZX55B3V0-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.0 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel