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參數(shù)資料
| 型號： | BZW06-8V5B |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(600W、用于過電壓保護(hù)的TRANSIL二極管(雙向)) |
| 中文描述： | TRANSIL二極管（600W，用于過電壓保護(hù)的TRANSIL二極管（雙向），高過電壓保護(hù)） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | BZW06-8V5B |
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1E1
1E2
1E3
1E4
1E5
tp (m
S
) EXPO.
Tj initial = 25C
Ppp (W)
Fig.2 :
Peakpulse power versusexponentialpulse duration.
Fig.3 :
Clampingvoltage versuspeak pulsecurrent.
Exponentialwaveform t
p
= 20
μ
s________
t
p
= 1 ms-------------
t
p
= 10 ms...............
Note:
The curvesof the figure3 arespecifiedfor a junctiontemperatureof 25
°
C beforesurge.
The given resultsmay be extrapolatedfor other junctiontemperaturesby usingthe following formula:
V
BR
=
α
T
*
(T
amb
-25)
*
V
BR
(25
°
C).
For intermediatevoltages,extrapolatethe givenresults.
BZW06-xx
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